蒸發(fā)沉積
 
在蒸發(fā)沉積時，真空室中的源材料受到加熱或電子束轟擊而蒸發(fā)。蒸氣冷凝在光學(xué)表面上。在蒸發(fā)期間，通過控制加熱，真空壓力，基板定位和旋轉(zhuǎn)可以制造出具有特定厚度的均勻光學(xué)鍍膜。 蒸發(fā)具有相對溫和的性質(zhì)，會使鍍膜變得松散或多孔。 這種松散的鍍膜具有吸水性，改變了膜層的有效折射率，將導(dǎo)致性能降低。通過離子束輔助沉積技術(shù)可以增強蒸發(fā)鍍膜，在該過程中，離子束會對準基片表面。這增加了源材料相對光學(xué)表面的粘附性，產(chǎn)生更多應(yīng)力，使得鍍膜更致密，更耐久。
 
離子束濺射（IBS）
 
在離子束濺射（IBS）時，高能電場可以加速離子束。 這種加速度使得離子具有顯著的動能。在與源材料撞擊時，離子束會將靶材的原子“濺射”出來。 這些被濺射出來的靶材離子（原子受電離區(qū)影響變?yōu)殡x子）也具有動能，會在與光學(xué)表面接觸時產(chǎn)生致密的膜。 IBS是一種的，重復(fù)性強的技術(shù)。
 
等離子體濺射
 
等離子體濺射是一系列技術(shù)的總稱，例如等離子體濺射和磁控管濺射。不管是哪種技術(shù)，都包括等離子體的產(chǎn)生。等離子體中的離子經(jīng)加速射入源材料中，撞擊松散的能量源離子，然后濺射到目標光學(xué)元件上。 雖然不同類型的等離子體濺射具有其*的性質(zhì)和優(yōu)缺點，不過我們可以將這些技術(shù)集合在一起，因為它們具有共同的工作原理，它們之間的差異，相比這種鍍膜技術(shù)與本文中涉及的其他鍍膜技術(shù)之間的差異小得多。
 
原子層沉積
 
與蒸發(fā)沉積不同，用于原子層沉積（ALD）的源材料不需要從固體中蒸發(fā)出來，而是直接以氣體的形式存在。 盡管該技術(shù)使用的是氣體，真空室中仍然需要很高的溫度。 在ALD過程中，氣相前驅(qū)體通過非重疊式的脈沖進行傳遞，且脈沖具有自限制性。 這種工藝擁有*的化學(xué)性設(shè)計，每個脈沖只粘附一層，并且對光學(xué)件表面的幾何形狀沒有特殊要求。 因此這種工藝使得我們可以高度的對鍍層厚度和設(shè)計進行控制，但是會降低沉積的速率。
 
 
鍍膜工藝
 
不同的鍍膜沉積技術(shù)，具有各自的優(yōu)缺點。瑞研光學(xué)可以采用不同的鍍膜沉積技術(shù)為您服務(wù)。 請聯(lián)系瑞研光學(xué)，告訴我們哪種鍍膜技術(shù)適合您的應(yīng)用。